非晶態(tài)金屬氧化物(MO)半導體由于具有寬的帶隙和高的電子遷移率,成為下一代透明柔性電子器件的重要候選材料。在這些材料中,銦鎵氧化鋅(IGZO)是熱門材料之一,流動性為10-100 cm2/Vs,在晶相和非晶相中都能穩(wěn)定工作。Ga比In具有更大的氧結合焓,調(diào)整Ga濃度可以控制和穩(wěn)定IGZO中的載流子濃度,制造的濺射IGZO器件(In:Ga:Zn~1:1:1)用于優(yōu)化薄膜晶體管(TFT)開關,但會極大的降低In2O3矩陣的電子遷移率。目前,300℃以下的溶液處理/退火方法代替了物理氣相沉積制備MO電子產(chǎn)品,降低生產(chǎn)成本,實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。然而,這種IGZO-TFT只有在Ga含量低時(<10%)才能實現(xiàn)2-6cm2/Vs的遷移率。當Ga含量增高時,會抑制氧空位和增加陷阱密度,并且在300°C的溫度下,降低流動性(<1 cm2/Vs)。因此,在溶液處理技術上實現(xiàn)高性能、高Ga含量的IGZO-TFT具有很大挑戰(zhàn)性。
近日,西北大學Michael J.?Bedzyk教授團隊通過將聚乙烯醇(PVA)添加到前驅體液,顯著提高了水溶液處理氧化銦鎵(IGO)薄膜晶體管(TFTs)的場效應電子遷移率,達到7.9 cm2?/ Vs,提高了近70倍(接近于濺射IGZO-TFT的水平)。研究發(fā)現(xiàn), PVA引入后,IGO的Ga從6配位轉換成4配位,增多了H摻雜。因此,抑制了深阱缺陷定位局部化,減少金屬氧化物多面體畸變,導致IGO的電子遷移率得以提高。這種羥基聚合物摻雜的綠色溶劑加工方法為制備高性能,超穩(wěn)定的IGO半導體電子產(chǎn)品提供了有效參考。相關工作以“Experimental and theoretical evidence for hydrogen doping in polymer solution-processed indium gallium oxide”發(fā)表在《PNAS》上。
IGO:PVA TFT性能表征
在IGO:PVA TFT中,隨著PVA含量0-8 wt%的增加,ION逐漸升高(VON降低)至1.25±0.10×10-3?A(-6.2±2.1 V)。當PVA含量為8wt%時,ION增強超過1,000倍,電子遷移率最大,為6.43±0.73 cm2 / Vs。?將PVA進一步添加至14wt%時,ION(VON升高)壓低到4.81±0.31×10-5?A(+38.1±5.2 V),電子遷移率下降(1.25±0.66 cm2?/ Vs),但仍高于純IGO(0.10±0.04 cm2?/ Vs)。對于所有器件,IOFF仍然保持在10-10?A的范圍內(nèi),顯示出相對較低的載流子濃度,適用于低功耗TFT。
圖1 ?IGO:PVA膜的結構表征
圖2 不同PVA含量的IGO:PVA薄膜的表征
IGO:PVA TFT結構表征
作者利用X射線反射法(XRR)測量發(fā)現(xiàn),IGO:PVA TFT的平均電子密度和膜厚從1.42 e /?3和10.2 nm(0?wt%PVA)逐漸下降到1.30 e /?3和8.8 nm(14?wt%PVA)。擴展x射線吸收精細結構(EXAFS)測試發(fā)現(xiàn),In K邊緣和Ga K邊緣隨PVA含量的增加幾乎沒有明顯的吸收輪廓變化。PVA含量沒有明顯變化時,In-O和Ga-O的配位數(shù)分別保持在4.91-5.22和3.55-3.69 ?的狹窄配位范圍,表明大多數(shù)Ga離子占據(jù)四面體位點。共振軟X射線散射(R-SoXS)測試發(fā)現(xiàn),純的IGO膜和的IGO:PVA膜(8wt%PVA)在非共振和近共振能量下,均在30至40 nm處出現(xiàn)一個峰,面內(nèi)形態(tài)幾乎沒有差異,表明PVA在退火過程中會熱降解,不會在所導致IGO發(fā)生相分離,有利于電子傳輸。
圖3 純IGO膜和IGO:PVA膜的結構表征
PVA增強IGO電子遷移率機理
當PVA引入IGO時,促進低配位Ga有效地增加了低配位O含量,使得Ga從6配位很容易轉換成4配位,保留M–O–M網(wǎng)絡,而IZO中Zn始終保持4個配位。此外,Zn總是與相鄰多面體呈角共享,而Ga傾向于邊共享,這可能有助于抑制空洞的形成和保持晶格密度,吸引H摻雜。H的存在降低了所有相鄰多面體的局部畸變,提供更均勻的傳導電荷密度,增加了自由載流子輸運,也抑制了深電子陷阱的局部化,從而提高了MO的電子遷移率。
圖 4 IGO的H摻雜
圖 5 MO系統(tǒng)
小結:通過引入PVA的方式,實現(xiàn)低溫溶液工藝制備半導體IGO:PVA薄膜(In:Ga?= 6:4,原子比)的方法,抑制了局域陷阱的形成,減少了金屬配位多面體的畸變,將純IGO(0.10 cm2/Vs)的?流動性提高到7 cm2/Vs (IGO:PVA膜),提供了更高的電子遷移率。這種方法克服了溶液處理MO膜中Ga含量低的問題,適用于廣泛的氧化物電子技術。
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